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    三种生长SiC单晶用SiC粉体制备方法的优缺点

    文章出处:粉体圈网责任编辑:作者:小吉人气:-发表时间:2022-09-08 17:45:00【

    生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高,其中杂质含量应至少低于0.001%。在众多SiC粉合成方法中,气相法通过控制气源中的杂质含量可以获得纯度较高的SiC粉体;液相法中只有溶胶-凝胶法可以合成纯度满足单晶生长需要的SiC粉体;固相法中的改进自蔓延高温合成法是目前使用范围最广,合成工艺最成熟的SiC粉体的制备方法。


    目前合成单晶生长用高纯SiC的方法并不多,以CVD法和改进的自蔓延合成法为主,其中气相法合成的粉体多为纳米级,生产效率低,无法满足工业需求;同时,固相法制备过程的众多杂质中,N元素的含量一直居高不下。后续应该在高纯SiC粉体粒径和晶型对晶体生长的影响方面进行深入研究,从而加强对高纯SiC粉体形状、粒度、粒径分布等参数的有效控制,并且对如何减少高纯SiC粉体中N元素的含量还需进一步的研究。

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